I 2004 opfandt forskere fra bl.a. England, et kulstofmateriale kaldet Graphene, der har en tykkelse på kun et enkelt kulstofatom.
Materialet blev spået en fremtid til brug i transistorer, men det havde en række problemer, bl.a. lækkede det strøm og transistorer produceret af Graphene, kunne ikke slukkes, da elektronerne sprang for nemt imellem atomerne.
Forskere fra universitet i Manchester har nu løst dette problem, ved at lave et nanobånd af Graphene, der er 10 nm bred og en enkelt kulstofatom tyk. Denne teknologi virker ved stuetemperatur og kan produceres via almindelige litografiske processer, som vi kender det fra den nuværende transistorproduktion der bruger silicium.
Fordelene ved Graphene transistorer, er at de kan laves væsentlig mindre, end hvad silicium transistorer nogensinde vil kunne blive. Derudover er de desuden mere effektive, da elektronerne bevæger sig mere direkte uden at blive spredt.