Forskere hos University College London, har opfundet en teknik der kan gøre det muligt at spare store mængder energi ved fremstilling af integrerede kredsløb.
I den normale produktionsproces for en chip, anvendes siliciumdioxid som isolering. Dette laves ved at varme silicium wafferen op til mellem 900 og 1200 grader, da siliciumdioxid dannes meget langsomt ved rumtemperaturer.
Det er her at forskerne har opnået et gennembrud. Ved at anvende ultravioletlys, er det lykkes dem at danne siliciumdioxid meget hurtigt ved 20 grader. Dermed kan man spare den meget energitunge opvarmningsproces, hvilket kan reducere produktionsprisen.
Renheden af dioxiden er dog af kritisk betydning, så her skal den nye teknik først igennem en række tests, for at undersøge om det kan leve op til kravene.